當(dāng)PN結(jié)加反向偏壓時(shí),外加電場(chǎng)方向與PN結(jié)的內(nèi)建電場(chǎng)方向一致,勢(shì)壘加強(qiáng),在PN結(jié)界面附近載流子基本上耗盡形成耗盡區(qū)。當(dāng)光束入射到PN結(jié)上,且光子能量hv大于半導(dǎo)體材料的帶隙Eg時(shí),價(jià)帶上的電子吸收光子能量躍遷到導(dǎo)帶上,形成一個(gè)電子-空穴對(duì)。
在耗盡區(qū),在內(nèi)建電場(chǎng)的作用下電子向N區(qū)漂移,空穴向P區(qū)漂移,如果PN結(jié)外電路構(gòu)成回路,就會(huì)形成光電流。當(dāng)入射光功率變化時(shí),光電流也隨之線性變化,從而把光信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)。
利用光電效應(yīng)可以制造出簡(jiǎn)單的PN結(jié)光電二極管。但這種光電二極管結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,無(wú)法降低暗電流和提高響應(yīng)度,器件的穩(wěn)定度也比較差,實(shí)際上不適合做光纖通信的檢測(cè)器。
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